半导体制程中HMDS指的是什么(半导体中HMDS是什么)

何为半导体制程中的四大模块,各扮演什么角色

半导体制程实务上有四个关键,也可以是四大模块:

1.光罩制程:将线路设计模式化的角色;

2.芯圆制程:将线路模式具体化的角色;

3.封装制程:处理芯圆至芯片化的角色;

4.终测制程:明确线路的功能化的角色;

蚀刻技术还可用在哪些方面?

蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板,铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。

通常所指蚀刻也称光化学蚀刻(photochemical etching),指通过曝光制版、显影后,将要蚀刻区域的保护膜去除,在蚀刻时接触化学溶液,达到溶解腐蚀的作用,形成凹凸或者镂空成型的效果。

曝光法:工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→曝光→ 显影→烘干-蚀刻→脱膜→OK。

网印法:开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK。

通常印制板在蚀刻液中的时间越长,(或者使用老式的左右摇摆蚀刻机)侧蚀越严重。侧蚀严重影响印制导线的精度,严重侧蚀将使制作精细导线成为不可能。当侧蚀和突沿降低时,蚀刻系数就升高,高的蚀刻系数表示有保持细导线的能力,使蚀刻后的导线接近原图尺寸。电镀蚀刻抗蚀剂无论是锡-铅合金,锡,锡-镍合金或镍,突沿过度都会造成导线短路。因为突沿容易断裂下来,在导线的两点之间形成电的桥接。

在半导体技术中 MET&DR 中文代表什么意义

MET:应该是 metal 或者 metalize 的缩写,是金属化的意思

DR:可能是 dry的缩写,是干燥的意思

半导体制程中,MET多应用于晶圆制造厂,DR的话,则很多process都会应用到

光刻工艺中如果使用HMDS做为增粘剂,请问具体的工艺步骤是什么?具体问题如下:

1, HMDS是气相涂布在硅片表面,也就是硅片在HMDS的蒸汽中放置一会儿,温度约100-180度即可

2,HMDS处理后需要冷却后涂胶,但等待时间不能太长,过长处理效果会变差,建议4小时内完成涂胶

3,HMDS上面涂胶不影响HMDS的处理效果

4,HMDS本身是表面改性,HMDS本身不会涂在园片表面,因此不用担心去除HMDS层

主意:HMDS有生殖毒性,使用时候青年男女请谨慎使用

半导体厂代米什么意思

代工。半导体具有特定的电性能。导电的物质称为导体,不导电的物质称为绝缘体。半导体是性质介于两者之间的物质。

导电性可以由电阻率表示。诸如金,银和铜的导体具有低电阻并且容易导电。橡胶,玻璃和陶瓷等绝缘子具有高电阻,并且难以通过电。半导体类具有介于两者之间的属性。它们的电阻率可能会根据温度而变化。在低温下,几乎没有电流通过它们。但是,当温度升高时,电流很容易通过它们。

半导体几乎不导电。但是,当将某些元素添加到半导体中时,电流很容易通过它们。

半导体包括单个元件被称为元素半导体,包括著名的半导体材料的硅。在另一方面,半导体制程两种或多种化合物被称为化合物的向上半导体,并且用于半导体激光器,发光二极管等。

原子由原子核和绕原子核运动的电子组成。

电子无法在围绕原子核的原子空间中的任何距离处绕原子核运行,但只允许某些非常特殊的轨道,并且仅以特定的离散能级存在。这些能量称为能级。大量原子聚集形成晶体,并在固体材料中相互作用,然后能级间距变得如此紧密,以至于它们形成能带。金属,半导体和绝缘体的能带结构彼此不同。

在金属中,导带和价带非常接近,甚至可能重叠,并且费米能(Ef)位于内部。这意味着金属始终具有可以自由移动的电子,因此始终可以携带电流。这样的电子秤为自由电子。这些自由电子的流过产生了金属的电流。

在半导体和绝缘体中,价带和导带由足够宽度的禁止能隙(Eg)隔开,费米能(Ef)在价带和导带之间。为了到达导带,电子必须获得足够的能量以跳过带隙。一旦完成,就可以进行自由移动。

在室温下的半导体中,带隙较小,在半导体的导电性有限的情况下,有足够的热能使电子相当容易地跳过该间隙并在导带中进行跃迁。在低温下,没有电子拥有足够的能量来占据导带,因此电荷不可能移动。在绝对值为零时,半导体是理想的绝缘体。室温下导带中的电子密度不如金属中高,因此不能像金属一样导电。半导体的电导率不如金属,但不如绝缘体那么差。因此,这种材料称为半导体-表示半导体。

绝缘子的带隙很大,因此几乎没有电子可以跳过该间隙。因此,电流在绝缘子中不容易流动。绝缘体和半导体之间的差异是带隙能量的大小。在绝缘体中,禁带非常大,因此电子越过导带所需的能量实际上足够大。绝缘体不容易导电。这意味着绝缘子的电导率非常差。

用于IC等的半导体晶体是99.999999999%的高纯度单晶硅,但是在实际制作电路时,会添加杂质以控制电性能。根据所添加的杂质,它们成为n型和p型半导体。

将五价磷(P)或砷(As)添加到用于n型半导体的高纯度硅中。这些杂志称为施主。施主的能级位于导带附近,即能隙小。然后,处于该能级的电子容易被激发到导带并有助于导电。

另一方面,将三价硼(B)等添加到p型半导体中。这称为受体。受体的能级接近价带。由于此处没有电子,因此价带中的电子被激发。结果,在价带中形成空穴,这有助于导电性。

制程工艺指得是芯片上的什么 ?制程工艺以什么来进行对比?

半导体工艺制程是指数字芯片中,晶体管的栅极宽度。因为在整个数字芯片中,晶体管的栅极是整个电路中最窄的线条。如果栅极宽度为40nm,则称其为40nm制程。制程越小,工艺越先进。

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