1N5819应用(1N5820)

1N5819用在什么地方？接在芯片en脚到地能防止地线上的suger电压？

1N5819快恢复肖特基二极管最大峰值反向电压：40V；最大反向有效值电压：28V ；最大直流阻断电压：40V ；最大正向平均整流电流：1A；最大正向压降：0.6V（1A）；是低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

SBD的主要特点包括两个方面：

1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

肖特基二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。常用在彩电的二次电源整流,高频电源整流中。

接在芯片en脚到地能防止地线上的suger电压。

二极管1n5818能不能用1n5819替换俩者有什么区别

二极管1n5818能用1n5819替换，1n5819参数都较高；

1N5819的VF比1N5818稍微高0.05V VR也较高都是1A 功率

1N5818 VR 30V VF 0.55V；

1N5819 VR 40V VF 0.60V。

二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

二极管IN5819的作用最好说的详细点

二极管IN5819的作用是单向导电，也就是电流只可以从二极管的一个方向流过，二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路。

1N5819是肖特基二极管，它的反向耐压40V，额定正向电流1A，可以用指标高于它的肖特基二极管如1N5822（40V/3A）、MBR150（50V/1A）、MBR160（60V/1A）等来代替。1N5819的反向恢复时间极短，适合高频电路工作。

GUARDRING为过压保护低功率损耗，高效高电流能力，因为在低电压低正向压降高浪涌能力，高频逆变器，免费过网，并极性保护应用高温焊接保证。

二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。

由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。面接触型二极管的“PN结”面积较大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。

平面型二极管是一种特制的硅二极管，它不仅能通过较大的电流，而且性能稳定可靠，多用于开关、脉冲及高频电路中。

-二极管1N5819

1N5819二极管的参数

1N5819为肖特基二极管，40V/1A。用于低电压高频整流。

二极管：二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，另外，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，其应用也非常广泛。