H25R1203可以代换20N135FD吗？
H25R1203可以代换20N135FD的，前面的电流大，电压略低一点，实际工作不影响的，
20n135fdm参数
20n135fdm参数是高通骁龙870处理器。采用的是三星七纳米的结构工艺，安兔兔跑分达到了六十几万分，支持满血的闪存以及内存。这款手机还内置了4500毫安电池，支持44w的快速充电以及27w的无线充电，支持立体声的双扬声器。支持IP六八级别的防水防尘。
电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代？
电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换：
该型号场效应管的主要参数：
它是N沟场效应管
Ic＝20A
BVce＝1350v
最大功率80w以上。
该型号的场效应管代换原则，是只能用等于或大于它的参数的同类型号的场效应管代换。
可以代替的型号：
F25T135FD 、GT25Q101、IRFPH40k、lRFPH20M／30M和HF7757等型号的场效应管代替。
w20N50B坏了用什么代换
WFW20N50用mos管20A500v来代换。
20n135hr场效应管可以用参数是20A500v的20N50C场效应管代换。因为这两款的参数相等。所以这两款能选择代换。
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 – 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
电磁炉的功率管20N135FD可以用H20R1203功主率管替代吗
没见过20N135FD的IGBT，具体应该是20A耐压1350V的产品，H20R1203是西门子20A耐压1200V产品，如果是家用单管IGBT电磁炉的话，放心的换。如果商用或双管IGBT的话，可以试一试。
电磁炉的功率管20N135FD可以用H20R1203功主率管替代吗？
两个都是20A耐压1200∨以上的大功率管，但是20N135FD是含阻尼管的，另一个不含，是代替不了的。如果一定要换就得在H20R1203管的c极e极之间串接一个恢复二极管。
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