20n135fd功率管参数(40n120fd是什么管子)

20n135fdm参数

20n135fdm参数是高通骁龙870处理器。采用的是三星七纳米的结构工艺，安兔兔跑分达到了六十几万分，支持满血的闪存以及内存。这款手机还内置了4500毫安电池，支持44w的快速充电以及27w的无线充电，支持立体声的双扬声器。支持IP六八级别的防水防尘。

电磁炉场效应管TGAN20N135D坏用什么场效应管代？

电磁炉功率管场效应管TGAN20N135D坏了的代换，该型号场效应管的主要参数：Ic＝20A；BVce＝1350v，最大功率80w以上。该型号的场效应管代换原则，是只能用等于或大于它的参数的同类型号的场效应管代换。

1200与1351是元件的耐压值，不能用低的代高的，否则容易击穿。20N135IHR电流20安，耐压1350V，西门子H20R1203电流20安，耐压1200V，两者都是复合场效应管IGBT，如果在家用电磁炉上使用完全可以使用，最好选择电流25安的。

工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。

电磁炉的功率管20N135FD可以用H20R1203功主率管替代吗？

两个都是20A耐压1200∨以上的大功率管，但是20N135FD是含阻尼管的，另一个不含，是代替不了的。如果一定要换就得在H20R1203管的c极e极之间串接一个恢复二极管。